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Memória ReRAM: 100 vezes mais rápida e praticamente indestrutível
Esqueça os SSD tal como os conhecemos. A memória NAND Flash está, do ponto de vista técnico, num beco sem saída. A Texas Instruments validou recentemente a entrada em cena de uma tecnologia capaz de ultrapassar os padrões atuais: a ReRAM. Já não se trata de ficção científica. É indústria.
O mercado do armazenamento vive uma crise estrutural. As recentes ruturas no fornecimento de memória mostraram a fragilidade do sector, ao ponto de alguns fabricantes terem recorrido à antiga DDR3 para manter linhas de produção ativas.
A solução não virá do passado. Chama-se ReRAM e acaba de receber o aval de um gigante avaliado em centenas de milhares de milhões de dólares.
Weebit Nano: o David que convence os Golias
A notícia passou quase despercebida, mas é decisiva. A Weebit Nano licenciou a sua tecnologia à Texas Instruments. Não vende promessas vagas. Vende uma solução de Comutação Resistiva que contorna os limites físicos da Flash tradicional.
Os números impressionam. A escrita é até cem vezes mais rápida do que a Flash integrada atual. Onde a memória convencional se degrada e abranda, a ReRAM suporta entre 100 mil e um milhão de ciclos de escrita sem perda significativa.
Para o CEO da Weebit, Coby Hanoch, não há ambiguidades: a ReRAM supera a Flash em consumo energético, velocidade, durabilidade e custo.
A Comutação Resistiva é um fenómeno físico usado em memórias do tipo ReRAM que permite armazenar informação alterando a resistência elétrica de um material sólido. De forma simples, em vez de guardar dados através de carga elétrica, como acontece na Flash, esta tecnologia guarda informação mudando o estado resistivo de uma célula.
Integração simples, custos controlados
O verdadeiro avanço não está apenas na performance. Está na integração. A ReRAM pode ser implementada através de um módulo back-end-of-line.
Na prática, pode ser adicionada a chips existentes sem redesenhar a arquitetura complexa dos transístores subjacentes. O impacto no custo de fabrico rondará apenas 5%, um valor mínimo face ao salto tecnológico oferecido.
O fim anunciado do estrangulamento tecnológico
A Flash integrada deixou de escalar. Abaixo dos 28 nanómetros, torna-se instável e demasiado cara. Este bloqueio explica grande parte das tensões nas cadeias de abastecimento e as dificuldades sentidas nos mercados de PCs e dispositivos móveis.
Para contornar o problema, os engenheiros recorrem hoje a soluções híbridas com SRAM e Flash externa, penalizando espaço e autonomia.
A ReRAM surge como resposta direta a este impasse. Permite arranque quase instantâneo e oferece densidade muito superior à SRAM. Para inteligência artificial embarcada e dispositivos IoT, isto traduz-se em mais dados diretamente no chip, com cálculos mais rápidos e precisos.
Ao contrário da MRAM, baseada em magnetismo, a ReRAM não é sensível a interferências magnéticas, um fator crítico em aplicações como a indústria automóvel.
Da teoria à adoção industrial
O maior entrave continua a ser a resistência à mudança. Os fabricantes de semicondutores são, por natureza, conservadores. No entanto, com a Texas Instruments a juntar-se a parceiros como a SkyWater Technology e a onsemi, a barreira psicológica foi ultrapassada.
A chamada memória universal deixou de ser um conceito de laboratório e começou, finalmente, a ganhar forma no mundo real.
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