Samsung consegue reduzir até 50% o consumo energético dos seus chips de 3 nm
Quando o assunto é a indústria tecnológica, quase que nos esquecemos da Samsung, uma vez que este setor é dominado sobretudo pela taiwanesa TSMC. No entanto a empresa sul-coreana continua focada na sua missão de trazer os melhores e mais avançados chips para o mercado.
De acordo com as mais recentes informações, a Samsung conseguiu reduzir até 50% o consumo energético dos seus chips de 3 nm. Para além disso obteve também uma melhoria ao nível do desempenho e na eficiência na área.
Menos consumo energético com os chips de 3 nm da Samsung
Sabemos que a Samsung não é atualmente a fabricante que se destaca quando o assunto são os novos e mais avançados processo de fabrico. Mas a empresa sul-coreana tem-se esforçado por acompanhar a tendência e também ela está a trabalhar arduamente na nova litografia de 3 nm. Como tal, a marca revelou agora boas novidades respeitantes a esta mesma litografia da futura geração.
De acordo com as informações, a Samsung já anunciou que o seu processo de fabrico de 3 nm já está a ser produzido em massa. Para além disso foi revelado que os seus chips com essa litografia conseguiram obter uma redução de até 50% no que respeita ao consumo energético.
As informações foram reveladas após a reunião da empresa sul-coreana para revelar os resultados do primeiro trimestre de 2022. A administração da Samsung informou o Conselho de Administração de que o desempenho dos chips de 3 nm está a melhorar, e os funcionários negaram os recentes rumores de que o desempenho e rendimento destes componentes eram baixos, rumores esses que assustaram clientes como a Nvidia e a Qualcomm.
De acordo com a Samsung, os chips de 3 nm são a sua grande aposta para tentar alcançar a TSMC, uma vez que a taiwanesa não vai usar a tecnologia de transístor GAA da próxima geração. A marca sul-coreana vai assim adotar esta tecnologia, cujo fabrico envolve a utilização de dispositivos de nanofolhas que podem melhorar significativamente o desempenho do transístor e substituir grande parte da tecnologia FinFET.
Como tal, a marca diz que, comparativamente com o processo de fabrico de 7 nm, a tecnologia GAA de 3 nm vai então reduzir o consumo energético em 50%, melhorar o desempenho em 35% e também a eficiência na área em mais de 45%.
Para além disso, a empresa referiu que o seu processo de 5 nm entrou agora numa fase mais madura e que, embora o processo de melhoria de rendimento dos chips de 4 nm tenha sido adiado, este entrou numa curva de desempenho esperada.
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