A invasão da Ucrânia teve início no dia 24 de fevereiro deste ano e, portanto, estamos a viver as consequências nefastas deste conflito há exatamente 8 meses. As marcas e fabricantes tecnológicas reagiram à guerra provocada pela Rússia com várias sanções e bloqueios contra o país liderado por Putin. Como tal, a Rússia teve que se desenrascar por outras vias, sendo que uma das alternativas encontradas foi produzir os seus próprios componentes.
Desta forma, as notícias recentes indicam que uma Universidade russa vai criar ferramentas para que seja possível o país fabricar chips de 7 nm até 2028.
Rússia quer produzir os seus chips de 7 nm
Com a impossibilidade de aceder a componentes e produtos tecnológicos devido à guerra com a Ucrânia, a Rússia teve que encontrar alternativas para manter algum desenvolvimento neste setor. Em abril, o governo do país de Vladimir Putin mostrava intenções de produzir os seus próprios chips de 28 nm até ao ano de 2030. Mas esta é uma litografia já obsoleta, quando comparada com a evolução da indústria tecnológica que até já prepara chips de 1 nm. Já em junho, a Rússia apresentava o Bitblaze Titan BM15, o primeiro computador portátil criado no país equipado com o CPU russo Baikal-M1.
Mas as mais recentes informações mostram que o Instituto Russo de Física Aplicada da Academia Russa de Ciências (IAP) começou a desenvolver o seu próprio scanner litográfico para que o país possa produzir os seus chips de 7 nm. Mas a criação de ferramentas deste género ainda levará anos até estar concluida, sendo que neste caso, o equipamento apenas estará pronto em meados do ano de 2028.
Curiosamente, o Instituto indica que o seu processo poderá mesmo ultrapassar o de 7 nm da taiwanesa TSMC, atual líder mundial de semicondutores. Mas se virmos pela ótica do ano de 2028, é possível que essa litografia russa seja mais avançada que a atual da fabricante russa que recorre aos scanners da holandesa ASML, nomeadamente o modelo Twinscan NXT:2000i.
Segundo os detalhes, atualmente os chips mais avançados que a Rússia é capaz de criar encontram-se no processo de fabrico de 65 nm.