O mercado dos chips prepara-se para dar um salto no avanço do seu processo de fabrico. Se até aqui contamos com componentes fabricados numa litografia de 7nm e também 5nm, o fabrico em 3nm é uma realidade cada vez mais próxima. E as fábricas têm trabalhado a todo o gás para trazer esta novidade aos equipamentos do futuro.
Agora a gigante TSMC afirmou que o processo de fabrico na litografia de 3nm tem superado as expetativas e pode chegar antes do previsto.
Inicialmente esperava-se que o processo de fabrico de 3nm pudesse ter início já neste ano de 2021. No entanto, as fabricantes depararam-se com diversas condicionantes que têm provocado atrasos neste segmento de uma forma geral.
Por outro lado, já se fala que o próximo processador Kirin 9010 poderá dar o pontapé de saída com o lançamento dos primeiros SoCs de 3 nanómetros.
TSMC diz que o processo de 3nm superou as expetativas
Durante a Conferência Virtual Internacional de Circuito de Estado Sólido (ISSCC 2021), o Co-CEO da TSMC, Deyin Liu, falou sobre os mais recentes avanços no processo de fabrico da empresa taiwanesa. E segundo Liu, o processo de fabrico na litografia de 3nm está a superar as expetativas, podendo chegar mais cedo do que o planeado.
Desta forma, estima-se que a produção experimental comece já no segundo semestre deste ano. E a produção oficial em massa deverá ter início em 2022.
A primeira geração do processo de 3nm da TSMC vai continuar a usar transístores FinFET. Por sua vez, a Samsung utiliza um sistema mais agressivo, GAAFET.
Comparativamente ao fabrico de 5nm, o processo de 3nm da empresa de Taiwan tem um aumento de 70% na densidade do transístor, o que permite aos parceiros escolherem entre uma melhoria de desempenho de 11% ou uma redução no consumo de energia de 27%.
Por fim, o executivo adiantou ainda que a litografia ultra-violeta extrema (EUV) está a tornar-se cada vez mais relevante. Além disso, indica que tanto o processo de fabrico de 3nm, 5nm ou um futuro 2nm deverão continuar a usar esta tecnologia. Liu Deyin diz que a TSMC conta com um avanço na tecnologia EUV, com uma potência de 350W, que pode suportar o processo de 5nm e também ser usado no futuro processo de 1nm.
Segundo o plano da TSMC, o processo de chips deve continuar a respeitar a Lei de Moore. Ou seja, a geração de novos processos deve ser atualizada a cada dois anos, estando prevista uma grande atualização tecnológica em 10 anos.