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Chips de 7nm da Intel superam os de 3nm da Samsung em densidade

Antigamente o que se passava na indústria era um pouco incógnita, até porque havia menos meio de comunicação por onde se divulgassem as novidades. No entanto, nos dias que correm, dá-se mais palco a este setor, tendo crescido a quantidade de informação e conhecimento dos consumidores sobre o que se passa nas linhas de montagem. Como tal, conceitos como litografia e nanómetros começaram a ser cada vez mais corriqueiros e temas de debate do público interessado neste segmento.

Neste sentido, uma recente pesquisa levada a cabo pelo DigiTimes demonstra que os chips de 7nm da Intel superam os de 3nm da Samsung em termos de densidade.


Densidade do processo de 7nm da Intel é superior ao de 3nm da Samsung

Um recente relatório de pesquisa atualizado e publicado pelo DigiTimes analisou a densidade dos processos de fabrico dos semicondutores da Samsung, TSMC, Intel e IBM. Nesta análise foram comparados os processos de fabrico de 10nm, 7nm, 5nm, 3nm e 2nm.

Segundo os resultados apurados, o processo SuperFin de 10nm da Intel consegue ser mais denso, com 106 milhões de transístores por mm2, do que o de 7nm da taiwanesa TSMC ou da Samsung. Por sua vez, estima-se que a litografia de 7nm da empresa norte-americana seja ligeiramente superior aos de 5nm da rival de Taiwan.

Claro que tudo isto são perspetivas teóricas, mas caso todos os detalhes se confirmem, então os chips de 5nm da Intel terão o dobro da densidade do que os da Samsung e quase o dobro em relação aos da TSMC. Em suma, a litografia de 5nm da Intel será quase tão densa quanto o processo de 2nm da IBM, representando 300 milhões contra 333 milhões por mm2.

Já ao entrar no campo dos 3 nanómetros, a pesquisa indica que a Samsung não oferece nenhuma melhoria significativa em relação à litografia de 5nm (de 127 milhões de transístores para 170 milhões). Já a TSMC disponibiliza uma atualização mais significativa de 173 milhões para 290 milhões. Contudo, estima-se que a Intel abane a concorrência com os seus chips de 3nm a superaram os de 2nm da TSMC (520 milhões contra 490 milhões).

É importante reforçar que apenas a densidade foi o fator para comparação. Mas ainda nos espera um longo caminho até que consigamos apurar mais concretamente estes e outros dados.

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