Novo tipo de memória RAM à vista?

Por Hugo Sousa para PPLWARE.COM

A evolução é tentacular, chega a todos os componentes da tecnologia, e a memória RAM não é excepção.

Segundo um conjunto de cientistas europeus, é possível aumentar os limites de armazenamento das memórias flash, permitindo assim armazenar grandes quantidades de dados em pequenos espaços.

Mas como é que isto é possível? A solução poderá estar nos aglomerados de óxido de metal!

Investigadores da University of Glasgow School of Chemistry, no Reino Unido, e da Engineering and Rovira i Virgili University, em Espanha, afirmam que utilizando aglomerados de óxido de metal será possível reter a carga eléctrica necessária para criar uma nova base para as células de dados que são utilizadas nas memórias flash.

Nanoescala de um clusters de óxido de metal

Com base nesta premissa, 13 investigadores usaram tungsténio para sintetizar os clusters de óxido de metal e acrescentaram selénio aos seus núcleos internos, num processo conhecido como dopagem, realizado com o intuito de criar um novo tipo de memória, denominada pelos investigadores de Write-Once-Erase.

Embora esta não seja uma ideia nova, a verdade é que em todas as pesquisas anteriores, todos os investigadores se depararam com os mesmos problemas, a baixa estabilidade térmica e a baixa condutividade eléctrica. Factos estes que têm tornado difícil ou impossível mesmo a aplicação desta técnica.

"Um dos principais benefícios dos POMs que criámos é que é possível fabricá-los com dispositivos que já são amplamente utilizados na indústria, para que eles possam ser adoptados como novas formas de memória flash sem a necessidade de linhas de produção para serem reformulados.”

Lee Cronin, investigador da University of Glasgow’s Schools of Chemistry

Os investigadores afirmam que desta vez é possível, através desta técnica, criar um novo tipo de memórias que poderá vir a revolucionar o armazenamento nos dispositivos móveis, sejam eles smartphones, tablets, cartões de memória ou até mesmo câmaras.

Será que muito em breve iremos ver em muitos desses dispositivos móveis memórias Write-Once-Erase?