Memória 3D XPoint é mil vezes mais rápida que a flash

A evolução tecnologia chega a todos os componentes. Se olharmos para a história, há mais de 25 anos que não há novidades, ao nível tecnológico, para memórias não voláteis. Recentemente a Intel e a Micron anunciaram um novo tipo de memória que é mil vezes mais rápida que as memórias NAND (tipo de memória não volátil mais popular no mercado).

Vamos conhecer a tecnologia 3D XPoint.

Foi em 1989 que a Toshiba anunciou as populares memórias Flash NAND. Passados estes anos todos, não houve qualquer evolução/novidade relativamente a memórias não voláteis (mesmo desligando o equipamento, a informação fica guardada)…algo que mudou recentemente com o anúncio da Intel e Micron.

De acordo com um comunicado, uma tecnologia denominada de 3D XPoint é mil vezes mais rápida que a tecnologia usada nas memórias Flash NAND. A tecnologia 3D XPoint tem um conjunto de vantagens como a performance, densidade, poder, não-volatilidade e  custo comparativamente às tecnologias usadas nas memórias usadas actualmente.

Com o crescimento do armazenamento digital que registou 4.4 zettabytes em 2013 e é expectável que ultrapasse os 44 zettabytes em 2020, a tecnologia 3D XPoint pode ser um elemento chave no armazenamento de muita informação de uma forma rápida e com latência reduzida.

Por exemplo, sendo esta uma memória rápida uma empresa poderá, por exemplo, processar uma elevada quantidade de informação em tempo reduzido e assim conseguir identificar padrões de fraudes em transações financeiras; ou, no caso da medicina, os investigadores poderão analisar grandes quantidades de dados em tempo real, sendo que a velocidade da memória poderá ajudar a tratar mais rapidamente as tarefas complexas como a análise genética e rastreamento de doenças.

Quer saber mais detalhes sobre a tecnologia 3D XPoint?

• Estrutura de Array Cross Point – Condutores perpendiculares ligam as células de memória com uma densidade de 128 mil milhões. Cada célula de memória guarda um único bit de dados. Esta estrutura compacta tem como resultado uma elevada performance e uma alta densidade de bits.
• Sobreposição – Além da sua estrutura de cross point justo, as células de memória são empilhadas em várias camadas. Esta tecnologia inicial armazena 128Gb por die em dois layers de memória. As gerações futuras desta tecnologia podem aumentar o número de layers de memória. Além disso, é possível redimensionar a litografia tradicional, melhorando ainda mais as capacidades dos sistemas.
• Seletor – As células de memória são consultadas e escritas ou lidas fazendo variar a quantidade de voltagem enviada para cada seletor. Este facto elimina a necessidade de transístores, aumentando a capacidade e reduzindo o custo.
• Célula com mutação rápida – Com uma dimensão mais reduzida por célula, um seletor mais rápido, um array de cross point de baixa latência e um algoritmo de escrita rápida, a célula pode alterar o seu estado mais rapidamente que em qualquer tecnologia de memória não-volátil disponível hoje no mercado.

Tecnologia 3D XPoint em vídeo

Segundo alguns rumores, esta memória poderá chegar ao mercado já em 2016 podendo ser usada nos mais diversos tipos de equipamentos/máquinas.