O mundo tecnológico, tal como o conhecemos, está novamente prestes a mudar. E essas mudanças já começaram a ser preparadas através do início dos trabalhos para o fabrico de chips com menor litografia.
Segundo os dados recentemente divulgados, os chips de 3nm produzidos pela TSMC são até 15% mais rápidos do que os de 5nm.
A Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) é atualmente a fabricante líder de chips produzidos no processo de 5nm. A Apple é a sua maior cliente, e a empresa já começou mesmo a preparar as peças para o novo SoC A15 que equipará o iPhone 13.
No entanto, a taiwanesa já está com ‘as mãos na massa’ para o processo de 3nm, ao mesmo tempo que avança com pesquisas sobre a litografia de 2nm. Para além disso, a TSMC também já deu início às pesquisas para a produção de chips de 1nm.
TSMC: Chips de 3nm são 15% mais rápidos que os de 5nm
A fabricante taiwanesa revelou novos pormenores acerca do seu próximo processo de fabrico de 3nm. As declarações foram deixadas pelo vice-presidente sénior de pesquisa e desenvolvimento da TSMC, o Dr. Yuh Jier Mii, no Simpósio de Tecnologia Online 2021.
Dr. Yuh Jier Mii durante o Simpósio Tecnológico Online 2021
Segundo os dados, os chips de 3nm da TSMC vão conseguir oferecer um aumento de velocidade entre os 10% e os 15%, consumindo a mesma energia do que o atual processo de 5nm.
Desta forma, feitos os cálculos, com a mesma velocidade, a litografia de 3nm vai consumir cerca de 25% a 30% menos energia. Além disso conseguirá um aumento de 70% de densidade lógica, mais 20% de densidade de SRAM e mais 10% de densidade analógica.
De acordo com as informações, a Apple será a cliente exclusiva da litografia de 3nm da taiwanesa.
O Dr. Yuh Jier Mii afirmou que o processo de 3nm duplicou o número de ‘tape-outs’ durante o primeiro ano, comparativamente ao de 5nm. O termo ‘tape-out’ diz respeito aos designers de chips que terminam os seus projetos antes de os enviar para a fábrica que, depois, os refina e ajusta para serem produzidos.
O vice-presidente mostrou ainda que os transístores em nano escala têm variações de Vt 15% menores, como mostrado na linha azul da imagem acima, comparativamente a um transístor FinFET, a vermelho.