…a arrancar, a ler e a gravar dados
Quando avaliamos as especificações técnicas de um smartphone, não é comum explorarmos os detalhes do tipo de memória de armazenamento. Normalmente apenas “olhamos” para a capacidade de armazenamento da mesma. E a velocidade de leitura e gravação da memória de armazenamento, não será também uma característica importante nos smartphones?
Foi a pensar nisso que a Samsung anunciou recentemente a produção em massa da nova memória Ultra Flash Storage 2.0 que é três vezes mais rápida que a memória actual (eMMC).
Actualmente a maioria dos smartphones usa o sistema eMMC (embedded Multi-Media Controller) que consiste em traços gerais num estilo de “cartão de memória” integrado dentro do próprio equipamento que tem as memórias flash mas também o respectivo controlador.
Apesar do eMMC ser rápido, a Samsung anunciou que está já a produzir em massa uma nova solução de armazenamento que garantirá uma maior rapidez na leitura e gravação de dados e até mais eficiente em termos de energia.
De acordo com a empresa Sul Coreana, a nova memória Ultra Flash Storage 2.0 permitiria que os dispositivos móveis arranquem mais rápido, gravem e leiam informação mais rapidamente, melhorem os processos de multitasking, etc. Para se ter uma ideia da rapidez, esta nova tecnologia tem uma performance 28 vezes maior que os tradicionais cartões microSD.
Tal como mostra o quadro seguinte, a nova memória garantirá uma leitura sequencial na ordem dos 350 MB/s e uma escrita sequencia na ordem dos 150 MB/s. De salientar que a “solução actual eMMC 5.1” apenas permite uma leitura sequencial máxima de 250 MB/s e uma escrita sequencial de 125 MB/s.
A Samsung já informou que está a produzir versões de 32GB, 64GB e 128GB de memória UFS 2.0. A empresa Sul Coreana não confirmou se o novo Samsung Galaxy S6 virá já com este tipo de memória, tendo apenas referido em 2014 que esta estaria inicialmente presente num “super smartphone”.