São cada vez mais frequentes as notícias sobre os desenvolvimentos inovadores no setor da indústria de chips, e todas as fabricantes estão a trabalhar a todo o gás para trazer ao mercado os melhores e mais atrativos produtos para as marcas.
E agora, a Samsung anunciou que pretende iniciar a produção em massa dos chips de 3 nm já durante as próximas semanas. Caso se concretize, então a empresa será a primeira a oferecer este processo de fabrico em massa.
Samsung começará produção em massa de 3 nm nas próximas semanas
A Samsung divulgou nesta quinta-feira (28) o relatório com os seus resultados financeiros conquistados ao longo do primeiro trimestre de 2022. Nesse relatório foi anunciado o valor recorde da receita trimestral de 77,78 biliões de KRW (cerca de 58 mil milhões de euros) e um lucro operacional de 14,12 biliões de KRW (~11 mil milhões de euros).
Mas no relatório, a empresa sul-coreana também adiantou quais os seus planos para este segundo trimestre, do qual já passou um terço. E segundo as informações reveladas, a Samsung pretende então iniciar a produção em massa dos chips de 3 nm neste segundo trimestre, algo que pode então acontecer já durante as próximas semanas.
De acordo com o que a fabricante avança no documento:
Para a Foundry, a empresa vai solidificar a sua liderança tecnológica com a primeira produção em massa do mundo do processo GAA de 3 nanómetros e continuará a conquistar novos clientes.
Com este anúncio, e caso o mesmo se concretize, então a Samsung será a primeira fabricante da indústria a iniciar a produção em massa deste avançado processo de fabrico. Tal como já aqui noticiámos, a rival taiwanesa TSMC deverá começar a produzir a litografia de 3 nm em massa apenas no segundo trimestre de 2023, um ano após a sul-coreana.
Para além disso, a Samsung tornar-se-á também como a primeira a usar um processo de fabrico com GAAFET (Gate All Around FET). De acordo com a empresa, o processo de 3 nm irá reduzir o tamanho geral do chip em 35%, comparativamente ao processo FinFET de 5 nm. E ainda promete oferecer uma redução do consumo energético em cerca de 50%, aumentando o desempenho em 33% e a densidade do transístor em 80%.