A Intel já está a fazer experiências com um novo tipo de transístores, conhecidos por transístores 3D, capazes de aumentar significativamente o desempenho dos processadores. Até agora, a ideia dos transístores 3D, ou melhor, dos transístores com três gates pertencia ainda ao campo da ficção científica. Mas tudo indica que a Intel já construiu este tipo de transístores e que está a considerar utilizá-los quando fizer a transição para o processo de fabrico de 32 nanómetros, agendada para 2009 (actualmente, a Intel utiliza o processo de fabrico de 65nm).
A principal característica dos novos transístores é inclusão de três gates ao invés de apenas um (os gates são os elementos base dos processadores e controlam o fluxo de electrões de forma a que os transístores funcionem como interruptores binários). A grande vantagem desta tecnologia é a grande diminuição das perdas de energia dos processadores. Se os transístores com três gates fossem aplicados aos processadores actuais, o resultado seria, para o mesmo consumo energético, um aumento de desempenho de 45%.
