Investigadores da Universidade Fudan, em Xangai, desenvolveram uma nova tecnologia na área da memória volátil, designada de PoX (Phase-change Oxide), que promete ser até 10.000 vezes mais rápida do que as memórias flash tradicionais.
Embora ainda numa fase experimental, os investigadores já criaram um chip funcional em pequena escala e estão a colaborar com fabricantes para integrar a PoX em smartphones e computadores. A expectativa é que essa tecnologia possa substituir memórias como a SRAM em chips de IA, oferecendo maior desempenho com menor consumo energético.
O que torna a memória PoX tão revolucionária?
- Velocidade extrema
- A PoX consegue escrever dados em apenas 400 picosegundos (0,0000000004 segundos), superando largamente os tempos de escrita das memórias flash atuais, que variam de microsegundos a milissegundos.
- Uso de grafeno
- Ao invés do tradicional silício, a PoX utiliza grafeno bidimensional, permitindo uma condução de cargas mais rápida e eficiente.
- Tecnologia 2D super-injection
- Esta técnica inovadora promove um fluxo de carga rápido e sustentado na camada de armazenamento, eliminando as limitações de velocidade das memórias convencionais.
- Não volátil e eficiente
- A PoX mantém os dados mesmo sem energia e consome menos energia durante a operação, tornando-a ideal para aplicações de Inteligência Artificial e dispositivos móveis.
Esta nova tecnologia pode revolucionar o fabrico de semicondutores, colocando a China na frente desta corrida tecnológica. Ao consumir menos energia, a bateria dos dispositivos poderá durar mais tempo.