As memórias MRAM, ou memórias magnetoresistivas, sempre foram uma tecnologia muito cobiçada pelas fabricantes. O grande diferencial é que são memórias não voláteis onde as informações são retidas mesmo que o dispositivo esteja desligado ou não haja energia.
E depois de muitos anos de pesquisa, finalmente a Samsung apresenta a sua primeira memória MRAM e demonstra a sua eficácia.
Samsung mostra testes com a sua memória MRAM
Estas são boas notícias para a área da computação. A Samsung anunciou nesta quinta-feira (13) que as suas memórias MRAM funcionam e provaram a sua eficácia num ambiente real.
A empresa sul-coreana construiu o primeiro sistema de computação funcional baseado nas memórias MRAM. Este novo tipo de memória abre portas para toda uma nova geração de chips onde as memórias são capazes de armazenar dados e também processá-los, mesmo que o dispositivo se encontre desligado. Ao contrário das memórias DRAM, onde há uma gestão dinâmica dos dados, nas MRAMs ainda é possível manter os mesmos.
Os resultados destes testes foram publicados na Nature pela equipa da Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT), juntamente com a Samsung Electronics Foundry. A equipa explica que as novas memórias podem processar uma grande quantidade de dados armazenados na própria memória, sem precisar de aceder aos dados de um SSD. Para além disso, uma vez que o processamento desses dados ocorre de forma muito paralela, o consumo de energia é significativamente reduzido.
Segundo a Samsung, as memórias MRAM ainda têm uma baixa resistência e não podem ser integradas na computação como a conhecemos. No entanto poderiam ajudar bastante no desenvolvimento de novos chips de inteligência artificial ou no desenvolvimento de redes neurais.
Para os testes, os especialistas da Samsung implementaram estas memórias num sistema computacional direcionado para tarefas de inteligência artificial, onde as MRAMs armazenavam os dados iniciais e realizavam tarefas de cálculo. Os resultados mostram que as memórias MRAM conseguiram uma precisão de 98% na classificação de números manuscritos e 93% de precisão na deteção de rostos em cenários.
A produção desta tecnologia já está pronta há algum tempo, mas a dificuldade técnica é que tem atrasado todo o processo. Há dois anos a proposta era o fabrico em massa das memórias MRAM de 28 nanómetros. Segundo a Samsung, estas memórias podem ser até 1.000 vezes mais rápidas do que o eFlash.
O autor da investigação, Dr. Seungchul Jung explica que “a computação na memória é semelhante ao cérebro no sentido em que, no cérebro, a computação também ocorre dentro da rede de memória biológica, ou sinapses“.